為了進一步探求EDI（EDI純水設(shè)備）在除去弱離子方面的性能限制，Hernon等(1999)進行了下面的實驗研究，著重在大規(guī)模，50gal • min^-1的裝置中，流速和電流強度對二氧化硅除去的影響。當(dāng)進料水經(jīng)RO（RO反滲透膜）處理后，用于該試驗的EDI進料水含有20μS• cm^-1的NaCl和0.5μL•L^-1的CO₂。如圖18.11所示，對于恒定的電流強度， 二氧化硅去除率隨流速增加而降低。增加流速導(dǎo)致停留時間越短，對強電離子遷移的有用電流的利用越大，以及對弱離子除去的有用的水分裂越少。然而，甚至在超過額定速率50%的速度下，二氧化硅去除率仍在95 %以上。圖18. 12表明對恒定的流速電流強度對二氧化硅去除率的影響。最初，由于較高程度的樹脂/膜再生，二氧化硅去除率隨電流強度的增加而增加。然而，在一定的電流I₀時趨向平緩，該電流I₀是流速和進料水組成的函數(shù)。在高于I₀的電流密度時運行不會進一步影響二氧化硅的去除率，因為在對二氧化硅去除率的這點上的限制因素是停留時間。
                       
      上述的研究確定了在EDI裝置中弱離子除去的程度是與在EDI內(nèi)發(fā)生的水分裂的程度相聯(lián)系。上述的研究也提供計算除去弱電離組分的設(shè)計條件的基礎(chǔ)。